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[发布] 刻蚀砷化镓或是磷化铟工艺,为什么说污染硅基器件呢?

楼主
发表于 2017/4/1 15:10:49 | 只看该作者

微纳工艺小白一枚,请教:

请问:为什么刻蚀砷化镓或是磷化铟工艺,要和硅基器件中金属刻蚀分开?为什么说会污染?为什么说砷化镓、磷化铟脏呢?

不明觉厉,请行家指点指点。    


1 楼
发表于 2017/4/1 | 只看该作者

刻蚀的过程中有沉积


2 楼
发表于 2017/4/1 | 只看该作者

硅基半导体工艺,金属也就是铝,钛,这两种是不会造成硅材料的金属粒子沾污的。而像Au,Cu,会造成重金属沾污,造成深能级,在禁带中产生复合中心,直接导致器件失效。
而像砷,镓,铟,磷,都是常规的硅材料掺杂的元素,在刻蚀机中,会让硅表面沾污,改变硅材料的电阻率和导电性质。
这些都是基本的半导体物理的原理性知识………………

hilary.hy : 谢谢,受教了

2017/4/1 15:14:21 回复

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