大多数时候看到的极限是5nm-7nm这个范围。从数量级来看,1-10nm也算对。 人类已经可以在实验室早出5nm的node。但是,这是个体力活和运气活。一个PhD花大量时间才能做出1个。但是做出的100个里至少有90个都是坏的。 简单来说,达到7nm理论极限的时候,技术也完全达到极限了。 实验样品的质量充满了随机性。 尽管目前前景很不明朗,现在还是有大批科学家在钻研这个课题。 如果我们对单原子内部的性质了解的更清楚,我们也可以用一个单原子放在gap中做电子器件。 这种单原子器件的尺寸是0.1nm. 糟糕的是,尽管理论上来讲我们可以用量子力学算出任意一种单原子的电子云分布,计算出所有理化性质,但是实际上,可以用来做器件的原子都太复杂了,我们解不了那个薛定谔方程。 所以大家更倾向于用blockade等等量子效应来描述单原子的导电特性。 这些工作还在进行中。理论上的,我们至少还可以达到用单原子电子器件的尺度0.1nm,我们在实验室里偶尔能制备出这种单原子器件,但是温度得在零下100多度,而且失败率太高。 至于能不能用原子内部的原子核作为电子器件就要看未来我们能否得到可靠理论描述原子核的导电性质了。 所以说,现在的技术极限差不多是5nm的两级,但是用新的理论上达到0.5nm尺寸也完全可能。 未来还会不会有更好的理论可以搞定亚原子级别的电子器件我们并不知道。
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