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[发布] 用于28nm工艺的单晶硅与0.18um的相比会有不同么?

楼主
发表于 2018/1/4 11:53:13 | 只看该作者
希望大神们从晶元价格,以及晶元所允许的缺陷等角度分析分析。。。
这个问题其实是想要知道不同工艺节点对硅片本身的要求有没有不同,再者就是这些不同会导致应用于更先进工艺节点的硅片更加昂贵么?
1 楼
发表于 2018/2/9 | 只看该作者

最基本的区别是28nm使用的会是SOI硅片(绝缘体上硅),0.18um仍然使用传统单晶硅。
所谓绝缘体上硅就是在绝缘体(二氧化硅)上生长一层单晶硅,或者在硅片中埋入绝缘层,再在顶层的硅上面做工艺。它可以减少晶体管源极和漏极的电容值,增大晶体管的速度,具有更低的功耗,并且可以杜绝闩锁效应。


上面这张图很好的给出了传统的单晶硅与SOI硅片的结构不同。传统CMOS工艺,源极和漏极其实是相连的,因为硅衬底可以导电,所以衬底中会有一个体电流存在,增大功耗,同时产生巨大的寄生电容。SOI工艺则没有这个问题,没有体电流,也大大减小了源极漏极和衬底之间的电容。


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