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1Tb V-NAND存储器即将面世

三星(Samsung)计划明年推出容量达1-Tbit的3D-NAND芯片——V-NAND,以及采用其现有芯片的高密度固态硬盘(SSD)。该公司并表示,去年发表的Z-NAND产品也开始出样,据称这款产品能够达到媲美或超越英特尔(Intel) 3DXP存储器的低延迟能力。

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三星的Tbit NAND可支援高达每秒1.2Gbits的数据速率,并在一个堆叠32颗裸晶的封装中支援高达4Tb容量。三星快闪存储器产品与技术执行副裁Kye Hyun Kyung介绍,该芯片将在存储器单元堆叠底部的新金属接合层嵌入周边电路,从而达到新的密度水准。

 

三星在日前举行的快闪存储器高峰会(Flash Memory Summit)上发布这项消息,其中还有几家竞对手则描述采用96层与每单元4bit的芯片。三星目前的512Gbit芯片采用9个垂直通道与64层,较前一代产品所采用的4通道与48层大幅提升。

 

Kyung表示,3D NAND可支援每单元4bit,已能满足业界大部份的非挥发性存储器(NVM)需求。不过,他表示,三星已经从2002年起致力于开发具有次微米级延迟的磁性与相变存储器(PCM),最终将有助于缩短在NAND与DRAM之间的差距。

 

同时,三星也正为NetApp与Datera等用户出样采用其Z-NAND芯片的SSD产品;Z-NAND可支援低至15微秒的延迟。该芯片采用专为延迟最佳化的感测放大器,能以高达800Mbits/s的数据速率执行,并锁定用于执行分析与快取应用程式的数据中心。

 

三星目前正致力于开发第二代Z-NAND,支援每单元2bits的容量,其目的是为了使产品更加经济实惠,而其读取延迟预计将仅有些微提升。

 

Z-NAND产品可望挑战英特尔在今年3月发布的Optane SSD——采用3DXP芯片。市场研究公司Objective Analysis分析师Jim Handy表示,从该SSD采用的PCI Express汇排流目前所能实现的延迟来看,这款芯片最大的机会预计将来自于明年时搭载更快速存储器汇流排的板卡应用。

 

除了芯片开发蓝图之外,三星还发布一系列开发中的新元件与SSD计划。

 

它将以每单元4bit封装高达32个1-Tbit芯片的线键堆叠至2TB或4TB元件中。而这些堆叠将再被封装至容量高达128TB的2.5吋SSD中。

 

此外,三星正与其他公司合作,为所谓的M.3尺寸标准化至30.5 x 110.0 x 4.38 mm的尺寸。它将会比现在的M.2服务器卡更宽,以便容纳16TB的容量,而在明年采用V-NAND芯片后可望支援高达5亿次IOPS的能力。三星并展示了一款参考设计,可用于1U储存服务器中提供576TB容量和1,000万IOPS的效能。

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三星的M.3原型卡底部与目前的M.2卡比较

同时,三星也在开发一种软件标准,使储存方式不必再转换成广泛使用的区块储存。所谓的Key Value SSD则以位址存取可变长度数据。

 

三星已经向NVMe和SNIA等产业组织提出技术建议,共同致力于使该途径成为开放标准。如果获得采用的话,三星也计划为此途径推出SDK和参考范例。

 

不过,三星并未针对其规格、基础制程技术或出货时程透露任何细节。


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