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打破技术垄断,比亚迪自主研发碳化硅功率MOS器件

碳化硅材料以其优异的性能被行业列为第三代半导体材料,其击穿场强是硅的10倍,热导率是硅的2.5倍。用碳化硅材料制作的MOS器件可在大于200度的高温环境下工作,具有极低的开关损耗和高频工作能力,减小模块的体积和重量,显著提高系统的效率,有利于节能降耗,广泛应用于风光发电、光伏逆变、UPS储能、新能源汽车、航天军工等高科技领域。各个国家和企业针对碳化硅MOS器件都开展大量的研究工作,但目前全球能批量生产的只有cree、rohm、ST、GE等三五家企业。


比亚迪微电子团队通过不断的工艺及设计试验,目前在国内已自主研发出适合于新能源汽车使用的两款碳化硅功率MOS器件BF930N120SNU(1200V/30A)和BF960N120SNU(1200V/60A),N沟道增强型功率MOSFET,并同步研制开发1200V/200A和1200V/400A全SiC MOS模块。

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SiC 模块

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SiC 单管

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SiC晶圆

器件主要参数:耐压超过1200V,最高可达1700V;最大电流可达到60A。

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器件关键特性:

1、击穿电压稳定性:从室温升高到150度,耐压波动小于3%;

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2、可靠性试验:现已通过500小时的HTGB和HTRB可靠性试验,试验前后Vt波动小于0.4V。

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