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GaN|NXP推出5G用氮化镓射频功率产品,WIN半导体公司推出0.45栅技术扩展GaN代工工艺

NXP近日推出用于大型和户外小单元5G蜂窝网络的射频氮化镓(GaN)宽带功率晶体管A3G22H400-04S和A3G35H100-04S。


性能参数

A3G22H400-04S GaN功率晶体管为满足40W基站使用而设计。该功率晶体管可提供高达56.5%的效率、15.4dB的增益,覆盖从1800MHz到2200MHz蜂窝波段。


A3G35H100-04S GaN功率晶体管能够提供高达43.8%的效率和14dB增益,支持3-5GHz的16TX MIMO解决方案。


自评

NXP表示5G网络的未来将依赖GaN和Si-LDMOS技术。NXP公司射频功率业务的高级副总裁和总经理Paul Hart表示:“NXP在1992年推出全球首个LDMOS产品,今天我们正通过扩展行业领先的GaN技术来延续我们在射频领域的领先地位,我们提供了满足蜂窝应用的最高线性效率。”


Win半导体公司提供0.45m栅技术扩展GaN工艺

化合物半导体代工厂——Win半导体公司,推出0.45m栅技术——NP45-11碳化硅基氮化镓工艺,拓展其GaN工艺能力,可支持客户为大规模MIMO无线天线系统等5G应用设计混合Doherty功率放大器,支持现有和未来5G应用。


性能参数

NP45-11技术在100毫米SiC衬底上并且工作在50V的漏偏压。在2.7GHz频段,该技术提供饱和输出功率7W/mm,18dB线性增益,未谐波调谐时提供超过65%的功率附加效率。NP45-11技术适用于亚6GHz的5G应用,如宏单元发射器和MIMO访问点,支持从100MHz到6GHz的RF功率应用。


应用

公司表示,环境加固的分立晶体管功率带有湿度保护和满足在55V的JEDEC JESD22-A110 biased HAST认证。结合公司的加固高压无源技术,IP3M-01,NP45-11技术将支持在低成本塑料封装中的混合功率放大器的制造。WIN目前已可提供NP45-11样品套件。


自评

GaN器件的性能超越现有LDMOS技术,提供更卓越的效率,以及增加的瞬时带宽和线性度,尤其是在5G射频访问网络所用更高的频带。WIN半导体功率高级副总裁David Danzilio表示:“由于在当前无线调制方案中所需的高峰值到平均效率比,输出功率和线性效率间的折中非常重要。因为更高的瞬时带宽需求和更高的工作频率,这种折中在5G应用中变得更加困难。”

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