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石墨烯|西班牙公司推出“突破性”的石墨烯场效应晶体管,具有超高灵敏度

西班牙石墨烯生产商Graphenea宣布推出一系列突破性的新型石墨烯场效应晶体管(GFET),可用于工业和商业用途。该成果代表了数据收集的速度和有效性的显着进步,有助于生物、化学、光学、磁性或分子相互作用的研究领域的发展,包括生物传感、光电检测、生物电子学和化学传感等。


产品特性

石墨烯场效应晶体管(GFET)提供的灵敏度水平高于标准FET,具有超过1000 cm2 / V.s的特定载流子迁移率,低于2x1012 cm2的残余载流子密度,以及10到40V之间的迪拉克点。


产品性能指标

引入的新产品包括两种类型的石墨烯场效应晶体管矩阵:GFET S-10和GFET S-20。两个矩阵在10mm2的区域内提供36个独立的GFET。

 

GFET S-10采用GFET传感器设计,均匀分布在芯片上,30个传感器采用霍尔杆几何形状,6个采用2探头几何结构,可实现不同的测量技术。

 

GFET S-20上的GFET在芯片上分成四个象限。 GFET S-20上的所有传感器都具有双探针几何形状。这种配置允许在不覆盖垫的装置上施加液滴,使得能够在液体环境中进行测量或者使用液体介质对进行测量。

 

芯片尺寸:10 mm x 10 mm

每个芯片的GFET数量:36

栅极氧化物材料:SiO2

栅氧化层厚度:90nm

石墨烯场效应迁移率:>1000cm²/ V.s

残余电荷载流子密度:<2x1012 cm-2

良率:75%

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