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芯思想:8月份中国晶圆制造线进展

中芯国际天津生产线机台逐步移入

中芯国际天津T2/T3集成电路生产线项目,总投资约15.0亿美元(折合人民币约100.00亿元),项目完成投产后年产值约10.0亿美元(折合人民币约67.00亿元)。

 

2016年的10月18日,中芯国际正式启动中芯天津产能扩充项目,该项目预计投资额为15亿美金。全面生产后,产能加上老厂将达到每月15万片。

 

自7月份首台设备进驻,目前相关机台已经开始陆续进入。

 

中芯国际天津公司成立于2003年,并于2004年1月收购了摩托罗拉(中国)电子有限公司天津西青芯片厂,主要生产8英寸成品晶圆,产品广泛应用在指纹识别、电源管理、汽车电子、图像传感器等方面。经过十几年的发展,中芯国际天津厂已经成为国内重要的8英寸集成电路生产基地。


晋华集成设备安装有序推进

晋华一厂一期设备安装从7月开始,进入8月设备安装有序推进,据EPC总承包商表示,目前一切顺利。

 

预估2018年9月正式投产,到2019年底一厂一期项目可实现月产6万片12英寸晶圆的产能,到2020年底一厂二期也将达产6万片。并适时启动二厂的建设,到二厂达产时,总产能将达24万片。

 

晋华集成(JHICC)是由福建省电子信息集团、及泉州、晋江两级政府共同出资设立,被纳入我国“十三五”集成电路重大生产力布局规划。晋华集成电路与台湾联华电子开展技术合作,专注于随机存取存储器(DRAM)领域。

 

华虹半导体(无锡)有限公司生产厂房钢屋架吊装仪式举行

8月12日,华虹半导体(无锡)有限公司生产厂房钢架屋桁架吊装仪式举行。首根桁架吊装完成标志着这个总投资100亿美元、无锡历史上单体投资规模最大的项也进入到了施工新阶段。

 

华虹集成电路研发和制造基地占地约700亩,总投资100亿美元,一期投资25亿美元,新建一条12英寸“超越摩尔”特色工艺集成电路生产线,采用先进工艺90~65/55nm、月产能约4万片,支持5G、汽车电子和物联网等新兴领域的应用。

 

2018年4月3日,华虹半导体(无锡)有限公司一期(华虹七厂)桩基工程启动;2018年7月21日,F1厂房首件钢柱完成吊装。项目计划于2019年上半年完成土建施工,下半年完成净化厂房建设和动力机电设备安装、通线并逐步实现达产。

 

华虹无锡基地将成为华虹集团继上海金桥、上海张江、上海康桥之后的第四个生产基地,也是华虹集团走出上海、全国布局的第一个集成电路研发制造基地。华虹无锡集成电路研发和制造基地项得到国家大基金的强力金援,大基金向华虹注资9.22亿美元,其中4亿美元投给华虹半导体,持股18.94%;5.22亿美元投给华虹无锡,持股29%。强强联合,形成资本、技术、产业的叠加优势,对于推动中国集成电路制造产业整体竞争力的提升,促进全产业链联动协同发展,具有重要意义。

 

无锡市代市长黄钦在启动仪式上表示,华虹集成电路研发和制造基地落户无锡,是无锡史来最大的单体投资项目,将助力无锡打造集成电路产业新(芯)高地。

 

 积塔半导体特色工艺生产线在上海临港开工

8月16日,中国电子信息产业集团积塔半导体有限公司特色工艺生产线项目在上海临港正式开工。

 

 积塔半导体特色工艺生产线项目位于上海临港装备产业区,占地面积23万平方米,项目总投资359亿元,目标是建设月产能6万片的8英寸生产线和5万片12英寸特色工艺生产线。产品重点面向工控、汽车、电力、能源等领域,将显著提升中国功率器件(IGBT)、电源管理、传感器等芯片的核心竞争力和规模化生产能力。

 

2017年12月,中国电子和上海市签署了投资千亿级的战略合作协议,积塔半导体特色工艺生产线项目是该战略合作协议的第一个落地项目。该项目自签约起8个月内顺利开工,体现了上海速度、临港速度。


燕东微电子入主广义微电子

8月18日,燕东微电子投资四川广义微电子签约仪式在遂宁经开区举行。作为国内芯片产业龙头企业,燕东微电子本次计划投资1.2亿元入股四川广义微电子,帮助后者在遂宁建设的6英寸芯片生产线短期内快速实现稳定量产。

 

到今年底,四川广义微电子6英寸芯片生产线月产能预计将达到3万片,并计划在2020年实现月产能10万片规模,打造成为国内领先的集成电路制造商。 

 

武汉新芯二期扩产项目正式开工建设

2018年8月28日,武汉新芯集成电路制造有限公司召开二期扩产项目现场推进会在武汉召开。据悉武汉新芯二期扩产项目规划总投资17.8亿美元,紧抓物联网和5G运用的市场机遇,建设NOR FLASH(自主代码型)闪存、微控制器和三维特种工艺三大业务平台,相当于再造一个武汉新芯。

 

目前,武汉新芯一期拥有1.2万片/月的NOR FLASH闪存和1.5万片/月的背照式图像传感器(BSI)的生产能力。按照10亿美元一万片的投资规模,武汉新芯二期的投资大约可扩产2万片产能。笔者预计刨去动力、气体等方面的投资,大约可扩产3万片产能。

 

根据规划,武汉新芯的NOR FLASH闪存能力每个月扩充8000片,从月产能1.2万片扩至月能2万片,微控制器新增每个月扩充5000片,计划用5年时间把武汉新芯建设成中国物联网芯片领导型企业。

 

至于,三维特种工艺,笔者认为是指3D TSV封装。因为武汉有新芯有背照式图像传感器(BSI)芯片的生产能力,本次扩充产能,将有望达3万片规模。为了迎合背照式图像传感器的扩产,3D TSV封装扩产也是势在必行。

 

武汉新芯成立于2006年,由湖北省、武汉市、东湖区三级政府集体决策投资107亿,建设中部地区第一条12英寸集成电路生产线,2008年建成投产。2016年,在武汉新芯基础上,紫光集团、国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北省科技投资集团共同出资组建长江存储科技有限责任公司,武汉新芯整体并入长江存储,成为长江存储全资子公司。

 

经过十年艰苦运营,2016年,武汉新芯成功扭亏为盈;2017年实现销售收入22亿元,营业利润0.7亿元,首次实现全年主营业务盈利,并荣获“2017年中国半导体制造十大企业”称号。

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