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到2023年宽禁带功率半导体器件市场将增长到21.9亿美元

美国第三方市场研究机构Technavio在其报告“全球宽禁带半导体功率器件市场”中预测,2019-2023年间,宽禁带功率半导体器件市场的复合年增长率(CAGR)将达到39%,到2023年达到21.9亿美元。


一个关键驱动因素是对高功率密度器件的需求不断增长,包括不间断电源(UPS)和电源(PS)系统、光伏(PV)逆变器以及电动和混合动力电动汽车(EV / HEV),越来越注重实现电力系统的更高效率。UPS和PS系统应用领域在2018年占据了宽禁带功率半导体器件市场的最大份额(约为41%),预计将在整个2019-2023期间占主导地位。亚太地区(APAC)2018年的市场份额超过43%,其次是欧洲、中东和非洲(EMEA)和美洲。预计亚太地区2019-2023年将占据市场主导地位。

 

由于电力电子产品具有重量轻、易于维护、更好的控制和智能故障检测等优势,因此航空航天和国防领域的需求尤其高。特别是诸如无线电探测和测距(雷达)、无人驾驶飞行器(UAV)、无人水下航行器(UUV)以及声音导航和测距(声纳)的密集信号处理应用使用产生大量热量的处理能力。因此,需要耐用和高性能的电子设备,以便导弹系统(可以存储长达10年)等产品在部署用于关键任务应用时有效运行。因此,飞机和军事制造商一直在开发包含碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)宽禁带材料在内的电力电子系统,以承受高电压并提供高输出。

 

Technavio评论道,“市场上最新的驱动因素是信号处理应用的不断增长,包括水下通信、海军地雷探测、海上石油和天然气勘探以及搜索和发现任务”。

 

随着高功率密度器件在不同终端用户行业的广泛应用,各种功率半导体器件制造商正在投资研发宽禁带功率半导体材料。例如,6月份Cree的子公司Wolfspeed宣布开发其第三代1200V SiC MOSFET,以提高EV / HEV的动力传动系统效率。 

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