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东芝大动作:明年量产96层3D NAND

全球第2大NAND型快闪记忆体厂东芝 ( Toshiba )28日宣布,已携手SanDisk研发出全球首款采用堆叠96层制程技术的3DNAND Flash产品,且已完成试作、确认基本动作。该款堆叠96层的3D NAND试作品为256Gb(32GB)、采用3bit/cell(TLC:Triple Level Cel)技术的产品,预计于2017年下半送样、2018年开始进行量产,主要用来抢攻数据中心用SSD、PC用SSD以及智慧型手机、平板电脑和记忆卡等市场。


上述堆叠96层的3D NAND将利用东芝四日市工厂「第5厂房」、「新第2厂房」以及预计2018年夏天完成第1期工程的「第6厂房」进行生产。


东芝今后也计画推出采用堆叠96层制程技术的512Gb(64GB)3D NAND产品以及采用全球首见的4bit/cell(QLC = Quad-Level Cell)技术的3D NAND产品。


东芝目前已量产堆叠64层的3D NAND产品,而和64层产品相比,96层3D NAND每单位面积的记忆容量扩大至约1.4倍,且每片晶圆所能生产的记忆容量增加、每bit成本也下滑。


东芝并于28日宣布,已试作出全球首见、采用4bit/cell(QLC)技术的3D NAND产品(见附图),且已完成基本动作及基本性能的确认。该款QLC试作品为采用堆叠64层制程技术、实现业界最大容量的768Gb(96GB)产品,已于6月上旬提供给SSD厂、控制器厂进行研发使用。


东芝表示,堆叠16片768Gb晶片、实现业界最大容量1.5TB的QLC技术产品预计于2017年8月送样,且该款1.5TB产品将在8月7-10日期间于美国圣塔克拉拉举行的「Flash Memory Summit 2017」上进行展示。


东芝于28日宣布,为了因应3D NAND需求扩大,将砸下1,800亿日圆进行增产投资。


根据嘉实XQ全球赢家系统报价,截至台北时间29日上午9点28分为止,东芝崩跌5.15%至272.8日圆。


根据IHS Technology的资料显示,2016年三星NAND Flash全球市占率(以金额换算)达35.2%、稳居首位,东芝以19.3%居次、WD以15.5%位居第3。


三星6月15日宣布,64层256Gb V-NAND(第4代V-NAND)已开始进行量产,且计画在2017年年底之前将64层产品产量占整体NAND月产量比重提高至50%以上水准。


日经新闻5月30日报导,南韩三星电子计画砸下10兆韩圜(约1兆日圆)在中国西安工厂设置第2条NAND型快闪记忆体(Flash Memory)产线,目标在2019年将西安工厂月产能提高至现行的2倍。该条新产线预计于今年内动工,完工投产后、合并第1条产线产能计算,西安工厂月产能将倍增至22万片(以矽晶圆换算)。三星西安工厂主要生产最先端的3D NAND Flash产品。


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