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64层堆叠是3D NAND的「甜蜜点」?

Western Digital(WD)记忆体技术执行副总裁Siva Sivaram日前指出,64层堆叠的3D NAND正跨越较平面NAND更具成本效益的门槛。


在最近接受《EE Times》的访问中,Siva Sivaram将64层3D NAND定义为一种「开创性技术」(seminal technology),可望应用于WD逾50种产品线。他预计今年WD约有一半的产品线都将采用3D NAND,其中有75%都是64层3D NAND。「我们认为64层是最具有2D NAND成本竞争力的起点。」


WD日前发布据称是首款采用64层3D NAND技术打造的客户端固态硬碟(SSD)。WD Blue 3D NAND SATA SSD针对的是DIY玩家爱好者、经销商和系统制造商,而SanDisk Ultra 3D SSD则针对想要提升PC效能的游戏与创意玩家。Sivaram说,64层3D NAND最初主要应用在高阶消费装置,并将逐渐扩展至下游的行动装置与嵌入式系统,最后才是企业应用。Sivaram说:「企业需要更长的时间才会开始导入。」

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WD认为64层3D NAND将从游戏与绘图密集型PC用SSD等高阶消费装置应用开始,逐渐扩展至广泛的产品应用

对于WD而言,64层3D NAND目前已经比其最佳的2D NAND更便宜了。Sivaram表示:「虽然不是每一家厂商都能做到64层3D NAND,但大家的进度都很快。」WD已经为其零售市场限量生产了48层3D NAND,但该技术尚称不上是成熟的节点,而32层也只是在内部实现,「这是一个必经的学习步骤,」他说。


他说,15nm 2D NAND「极其仰赖」微影技术。「而当你采用开始制造3D NAND,线距会变得较宽松,就不会像15nm那样仰赖微影技术了。」


然而,以所需要的新工具以及制造技术的观点来看,3D NAND仍十分昂贵。Sivaram表示,64层恰好位于获得更多位元以平衡成本增加的交叉点。「但即使是64层,每单元3位元是基本要求,」他说,「只要恰当地以每单元3位元打造,就会比其他架构更便宜。」


Sivaram表示,64层3D NAND将在未来18个月内成为市场主流。他并指出,WD自去年此时即已开始提供样品了。不过,他并不愿讨论WD与东芝(Toshiba)之间不确定的未来关系是否会影响其3D NAND的生产,也未详细说明公司在64层3D NAND之后的开发蓝图。


Objective Analysis首席分析师Jim Handy表示,3D NAND的下一步可能就是字串堆叠(string stacking)。这是指将单独的3D NAND元件彼此层层堆叠在一起,而无论它是32、48或64层,均共同打造96或128层的堆叠。他说,「理论上,它可能需要64层的倍数,但目前还不知道能达到什么程度。」


Handy说,随着堆叠的层数增加,深宽比也是如此,因而使得准确蚀刻通孔变得更加困难。Sivaram说:「此外,还有其他的问题,但深宽比的问题才真正令人烦恼。」


String stacking技术则可实现一连串深宽比为60的通孔,取代单个120或240深宽比的通孔。「每个人都想知道的是何时才具有足够的经济效益,得以从3D NAND过渡到其他替代技术。」


自从SanDisk说ReRAM将在三个世代后取代NAND,时间已经过了近十年。Handy补充说:「但如今每个人都在出货第三代3D NAND,并出样第四代产品。3D NAND存在的时间可能比原先的预期更长久。」

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16nm 128Gb TLC平面NAND以及32层TLC 384Gb 3D NAND的比较(来源:Objective Analysis)

层数增加的速度也比预期的更快。「尤其是低层数元件无法符合成本目标的事实,让层数增加速度更快。3D NAND的重点就在于它应该比平面更便宜,而较低层数的元件则否。」Handy指出,WD和美光(Micron)积极投入生产显示,他们已为其3D NAND创造了获利途径。而三星(Samsung)是否采用与WD、美光一样的技术打造其3D NAND,目前并不得而知。


Handy预测,大约要到2018年中期,3D NAND才能真正达到成本和量产目标。「多年来,我们一直这么认为。但3D NAND仍然未能实现其成本目标,也还不足以进行量产。预计还得等到更有利可图才行。」


此外,Handy认为,即使东芝3D NAND业务的所有权变化,也不会改变太多的市场样貌。「尽管名称改变了,但市场上仍然是那些厂商。」无论如何,WD仍将采用SanDisk/东芝的技术制造快闪记忆体,「问题在于谁将从中获利?」


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