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  • 做流片ASIC和做FPGA的RTL 设计之间有什么不同吗?

    提问人:王二东 2 条回复 时间:2017/8/18 17:04:23

    请问诸位大拿,做流片的ASIC设计的RTL是否跟FPGA上做RTL是否不一样呢?我所了解的,似乎ASIC那边对于芯片验证投入很多精力,而FPGA由于可以重新编程,所以没有特别的人来做验证这块。但RTL是否有不一样呢,比如,A...

  • 为什么 CPU 只用硅做,而不用能耗更低的锗做?

    提问人:金泰宇 3 条回复 时间:2017/8/17 12:50:28

    CPU就是在一张硅片上,刻几百万个晶体二极管。
    制成二极管,硅的开启电压(死区电压)需要0.5V,锗的开启电压只需0.1V。也就是锗CPU只需零点几的电压就能运行,比现在的1V低多了,也算CPU的革命吧。
    电压更低,意味发热量更少,集成度和频率可以更高。
    即便开发锗CPU有困难,也比脑动大开的 量子CPU, 光子CPU, DNA CPU靠谱吧?

  • 为什么 CPU 主频很难超过 4GHz?

    提问人:Renault 2 条回复 时间:2017/8/15 17:12:08

    和登那德定律有关系,貌似有公式能说明。

  • 电路里与非门、或门,从物理层怎样解读?具体是什么?是怎样实现逻辑运算的?

    提问人:Einstein 4 条回复 时间:2017/8/14 9:07:00

    电路里与非门、或门,从物理层怎样解读?具体是什么?是怎样实现逻辑运算的?

  • 芯片里面有几千万的晶体管是怎么实现的?

    提问人:Yike 2 条回复 时间:2017/8/10 14:25:20

    关键点不是操作的步骤,而是怎么弄的那么小,毕竟,按照普通人的理解,细都头发丝就很难准确操作了,希望各位大神解释下怎么刻那么细的?

  • 为什么三极管(BJT)的饱和区和场效应管(MOSFET)的饱和区不同?

    提问人:poor 4 条回复 时间:2017/8/9 17:24:00

    不同的意思是:三极管把能够线性变化的部分称为饱和;而场效应管把能放大的部分称为饱和。所以“饱和”本质的含义是什么,是指谁饱和了?

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                    <h2><a href=自动控制原理这种控制论在微电子集成电路设计上有什么应用?

    提问人:洛离空 3 条回复 时间:2017/8/8 17:07:35

    是这样的:我总感觉自动控制原理是很多强电或者大型工程要用的方法论一样的东西,而在集成电路设计上很少那样考虑啊...没错负反馈是电路里很重要的环节,但是我在做负反馈的时候好像并没有做过什么相平面跟轨迹什么的……我觉得可能是我履历还太少,也没有接过什么很庞大的设计,我想庞大的设计里面是不是会有很多控制理论的应用呢?希望能看几个例子神马的?

  • 能不能通俗的解释一下“上拉电阻/下拉电阻”的原理?

    提问人:dear 2 条回复 时间:2017/8/7 16:52:16

    查找了不少资料,始终不明白“上拉电阻将电位钳在高电平”是什么原理。或者这么问,为什么单片机的io口如果没有内接上拉电阻悬空时电平不确定,而如果外接了上拉电阻则悬空时为高电平?下拉电阻也是一样的问题。

  • 用netlist搭建电路并仿真:在实际工作中有用吗?

    提问人:晴明 2 条回复 时间:2017/8/4 17:03:15

    这学期学校的所有模拟实验课的仿真和LVS,都用Spice之类的网表做。但是对比网表(没有图形符号)和cadence之类有图形符号的仿真工具,明显后者用起来更快,而且更容易debug,实现功能也容易。所以在IC等工业届里面, “用netlist搭建电路并仿真”(例如hspice, eldo) 有用处吗?

    spice我指的是没有元器件的图形符号,要敲代码来搭电路并仿真的那种....

  • 由两块N型半导体接触而形成的“二极管”会有什么样的电流特性?

    提问人:gyroscope 1 条回复 时间:2017/8/3 17:15:58

    假如有一块N型半导体,参杂比较高,和另一块参杂较低的N型半导体接触,这样的“N-N”结构会有什么样的电流特性呢?会不会还有P-N结正向导通和反向截流的性质?