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磁控溅射-LAB18
主要用于溅射Ti、Al、Ni、Au、Ag、Cr、Pt、Cu、TiW、Pd、Pt、Zn等金属薄膜

技术指标:


溅射速率 0.1A/s-10A/s;


反溅射功率 0-200W; 溅射功率50-500W;


溅射厚度: 普通金属(Ni、Al、Ti、Ag、Cr、Cu)5nm-2000nm; 贵重金属(Pt、Au、Pd)5nm-500nm;


气体(Ar、O2、N2);


流量范围 0-100 sccm;


背底真空:8E-6 Torr;


一次可溅射两寸片5片,四寸片和六寸片1片,向下尺寸兼容,薄膜不均匀性≤±5%。度:20-400 ℃;

应用领域:


主要用于溅射Ti、Al、Ni、Au、Ag、Cr、Pt、Cu、TiW、Pd、Pt、Zn等金属薄膜,AlN、SiO2等介质薄膜,