登录注册   忘记密码

LPCVD-CALOGIC
Si3N4在工艺中主要作为局部氧化的掩蔽膜,电容的介质膜

技术指标:    

价格: 800/60分钟

单位预约时间: 60(单位:分钟)

淀积速率:2.5nm/min-4.0 nm/min

衬底表面温度控制:700℃-850℃
控温精度:±1℃
气体/压力控制精度:±0.5% 
温度控制显示精度:0.1°C;

   

应用领域:    

Si3N4在工艺中主要作为局部氧化的掩蔽膜,电容的介质膜等。

在工艺中我们通常使用的气体是:NH3 DC(SiH2Cl2)。这两种气体的反应生成的Si3N4质量高,副产物少,膜厚均匀性极佳,而且气体源便于精确控制流量,(气体流量,压力等参数可根据不同工艺要求而自行调节),是目前国内外普遍采用的方法。
反应式: 3SiH2Cl2 4NH3 = Si3N4 6HCl 6H2